16名本科生领衔的芯片公司芯微电子要上市了？
近期有一家名为芯微电子的功率半导体芯片制造企业递交了创业板上市招股书。长期以来在大家的印象里，芯片行业属于“高精尖”行业，从业者大多数为硕士或博士学历。但在芯微电子的招股书中提到，在册员工中本科仅有16人，且本科已经是该公司在册员工中的最高学历。那么芯微电子真的就靠这16个本科生“搞”芯片吗？
有没有一种可能 芯微电子其实是有博士的？
在芯微电子的招股书，对于员工学历构成是这样描述的：
公司在册员工学历构成情况如下：本科16人、大专123人、高中及以下654人。
从这样的数据看，本科学历在该公司已经算高学历了。由此也引发了网友间的热烈讨论，有些网友认为模拟版图和前端设计工作对于经验丰富的本科生也可以胜任，而有些网友则表示不太相信这样的情况。
很多分析文章也基于此直接认定了芯微电子没有硕士、博士，仅靠本科生和专科生在搞芯片。
那么如果我们跳出这个思维来分析，有没有可能芯微电子其实是有博士的？只是博士不属于“在册员工”。
在招股书中核心技术人员情况一章中有这样的介绍：饶祖刚，北京大学电子与通信工程专业硕士学位。主持公司6英寸MOSFET晶圆生产线建线和技术支持，负责公司新产品的开发、产业化及量产产品的技术改进工作。
这位 “实名认证”的硕士生说明了，参与芯微电子研发工作的科研人员中，拥有硕士及以上学历但不属于“在册员工”的情况是存在的。
来源：芯微电子官网
（注：黄山芯微电子股份有限公司系由原安徽省祁门县黄山电器有限责任公司整体变更设立的股份公司。）
其实如果我们仔细阅读招股书就会发现，芯微电子有个博士后科研工作站。并且查询其官网上的信息也可以发现，该博士后科研工作站在2013年时就已经成立了，至今已有9年的历史。
对于半导体和芯片研发工作来说，有能力的本科生也许能够胜任。但博士后科研工作站这个事是必须要博士生参与的。就比如一个人即使不知道“知网是什么”，那他也要有博士学位才能进入到博士后工作站进行科研工作。而且这个博士后科研工作站已经运行9年了，这期间肯定是有博士参与到了研发工作。
功率半导体芯片
根据招股书上的信息，芯微电子的主营业务为功率半导体芯片、器件和材料的研发、生产和销售，具体产品以晶闸管为主，涵盖MOSFET、整流二极管和肖特基二极管及上游材料（抛光片、外延片、铜金属化陶瓷片）。而晶闸管这类产品除研发环节外，其它例如生产和销售环节的相关工作所需学历是不高的。
来源：《功率半导体分立器件产业及标准化白皮书》
而根据中国电子技术标准化研究院主编的《功率半导体分立器件产业及标准化白皮书》（2019版）中的定义，这些产品基本可以归属于“分立元器件”这个分类下。另外在白皮书中也指出了半导体分立器件芯片是指未封装的半导体分立器件。
以MOSFET为例，芯微电子的MOSFET产品包括芯片和塑封器件。封装前的产品被称作“芯片”，封装后的产品称为“器件”。或者通俗点说，这里的“芯片”指的是分立元器件的半成品，其它厂商可以购买这样的半成品回去封装成为自己的产品。
但是芯微电子的这个“芯片”和我们一般概念上的芯片（数字芯片）差距其实是非常大的。
就比如我们熟知的手机CPU芯片苹果A15、麒麟9000，这些芯片的晶体管数量都超过了100亿。即使是前几年的CPU，晶体管数量也是以亿为单位的。
来源：ST
而对于功率半导体芯片或者模组来说，晶体管数量（或者等效晶体管数量）一般是以个为单位。以ST的一款MOSFET产品为例，其电路结构是十分简单的。
对于数字芯片的制造来说，他们需要将尽可能多的晶体管塞进芯片中，而功率半导体芯片则不需要。也因此功率半导体芯片的制造不需要依赖最先进的光刻机、最先进的刻蚀机等设备。
在招股书中公示的采购合同一栏中我们可以看到，芯微电子近期采购了全自动单光刻机5 台，金额为600万元，折合一台价值120万元。从整个行业来看，120万一台的光刻机确实算不上先进光刻机。
而在公司技术储备这一节中，超光刻机能力的微细线条加工技术可以使最小掩蔽线宽达到小于 0.4um水平 。这也能说明芯微电子目前使用的大多数光刻机加工能力并没有达到0.4um（400纳米）的水平。
结语
在文章的最后，我有一些想法和补充的信息，在此分享给大家。
1、芯微电子目前的业务几乎不需要先进光刻机，基本没有被制裁的风险。
2、半导体的生产效率和成本与硅片尺寸直接相关。一般来说，硅片尺寸越大，用于产出半导体芯片的效率越高，单位耗用原材料越少。在产能方面，芯微电子拥有4 英寸、5 英寸和6 英寸功率半导体晶圆生产线。与国际大厂的12英寸生产线相比，产能上会有不小的差距。与国内拥有8英寸产线的立昂微相比，也有一定的差距。
3、近日总投资约80亿元的12英寸特色工艺半导体芯片项目签约，建成后将成为华北地区首个12英寸功率半导体生产线。国内功率半导体行业正在加速朝着12英寸产线发展。
4、从功率半导体行业来看，硅基材料的晶圆衬底为目前仍为市场主流。但未来有朝着例如碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等第三代半导体发展的趋势。
5、芯微电子 目前没有关于第三代半导体方面的明确布局。
6、芯微电子在招股书中披露了与电子科技大学合作研发情况，芯微电子出资65万并提供相应配套条件，而电子科技大学最终将交付优化性价比高压功率MOSFET芯片。这种研发模式可以作为公司整体研发的一种补充。